Vozbuzhdennye sostoyaniya eksitonov v monosloyakh MoSe2 i WSe2

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Методом оптической спектроскопии отражения исследованы экситоны в монослоях MoSe2 и WSe2, инкапсулированных гексагональным нитридом бора. Изучены основные и возбужденные состояния А- и В-экситонов при температурах от гелиевой до комнатной. В спектре отражения отчетливо наблюдаются линии экситонов А:1s, В:1s и их возбужденные состояния А:2s, А:3s, В:2s. Наблюдаемые формы линий спектра отражения монослоев дихалькогенидов переходных металлов зависят от толщины используемых в структуре слоев hBN и находятся в хорошем соответствии с численным моделированием методом матриц переноса. Впервые на основе данных эксперимента и выполненных расчетов энергии связи экситонов получены значения приведенных масс В-экситонов.

Авторлар туралы

G. Golyshkov

Институт физики твердого тела им. Ю.А.Осипьяна РАН

Черноголовка, Россия

A. Brichkin

Институт физики твердого тела им. Ю.А.Осипьяна РАН

Черноголовка, Россия

V. Bisti

Институт физики твердого тела им. Ю.А.Осипьяна РАН

Email: bisti@issp.ac.ru
Черноголовка, Россия

A. Chernenko

Институт физики твердого тела им. Ю.А.Осипьяна РАН

Черноголовка, Россия

Әдебиет тізімі

  1. G. Wang, A., M.M. Glazov, T. F. Heinz, X. Marie, T. Amand, and B. Urbaszek. Rev. Mod. Phys. 90, 021001 (2018).
  2. М. В. Дурнев, М.М. Глазов. УФН 188, 913 (2018).
  3. M.M.Glazov. J. Chem. Phys. 153, 034703 (2020).
  4. A. Chernikov, A.M. van der Zande, H.M. Hill, A. F. Rigosi, A. Velauthapillai, J. Hone, and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 115, 126802 (2015).
  5. B. Aslan, C. Yule, Y. Yu, Y. J. Lee, T. F. Heinz, L. Cao, and M. L. Brongersma, 2D Mater. 9, 015002 (2022).
  6. C. Robert, M.A. Semina, F. Cadiz, M. Manca, E. Courtade, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Cai, S. Tongay, B. Lassagne, P. Renucci, T. Amand, X. Marie, M.M. Glazov, and B. Urbaszek, Phys. Rev. Mater. 2, 011001 (2018); htpp://link.aps.org/supplemental/10.1103/PhysRevMaterials.2.011001.
  7. B. Han, C. Robert, E. Courtade, M. Manca, S. Shree, T. Amand, P. Renucci, T. Taniguchi, K. Watanabe, X. Marie, L.E. Golub, M.M. Glazov, and B. Urbaszek, Phys. Rev. X 8, 031073 (2018).
  8. M.R. Molas, A.O. Slobodeniuk, K. Nogajewski, M. Bartos, L. Bala, A. Babinski, K. Watanabe, T. Taniguchi, C. Faugeras, and M. Potemski, Phys. Rev. Lett. 123, 136801 (2019).
  9. A.V. Stier, N.P. Wilson, K.A. Velizhanin, J. Kono, X. Xu, and S.A. Crooker, Phys. Rev. Lett. 120, 057405 (2018).
  10. M. Goryca, J. Li, A.V. Stier, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Courtade, S. Shree, C. Robert, B. Urbaszek, X. Marie, and S.A. Crooker, Nat. Commun. 10, 4172 (2019); https://doi.org/10.1038/s41467-019-12180-y.
  11. А.С. Бричкин, Г.М. Голышков, А.В. Черненко, ЖЭТФ 163, 852 (2023).
  12. А.В. Черненко, А.С. Бричкин, Г.М. Голышков, А.Ф. Шевчун, Известия РАН, серия физическая 87, 189 (2023).
  13. E. L. Ivchenko, Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures, Alpha Science, Harrow, UK (2005).
  14. I.C. Gerber, E. Courtade, Sh. Shree, C. Robert, T. Taniguchi, K. Watanabe, A. Balocchi, P. Renucci, D. Lagarde, X. Marie, and B. Urbaszek, Phys. Rev. B 99, 035443 (2019).
  15. R. Geick, C.H. Perry, and G. Rupprecht, Phys. Rev. 146, 543 (1966).
  16. Н.С. Рытова, Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 3, 30 (1967).
  17. Л.В. Келдыш, Письма в ЖЭТФ 29, 716 (1979).

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Российская академия наук, 2024