Влияние легирования празеодимом на кристаллическую структуру и край оптического поглощения соединения TlGaS2

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Выращены монокристаллы твердых растворов на основе слоистого полупроводникового соединения TlGaS2 с добавлением до 2 мол. % редкоземельного элемента празеодима, получены их дифрактограммы. Исследован край оптического поглощения твердых растворов TlGaS2 в температурном интервале 100–200 К. Изучена температурная зависимость положения краевого экситонного пика для всех составов TlGaS2.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

П. Исмаилова

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: p.ismayilova@physics.science.az
Өзбекстан, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

Н. Гасанов

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Әзірбайжан, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

А. Гаджиева

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Әзірбайжан, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

К. Гусейнова

Сумгаитский государственный университет

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Әзірбайжан, ул. Баку, 1, Сумгаит, AZ 5008

Әдебиет тізімі

  1. Panich A.M. Electronic Properties and Phase Transitions in Low-Dimensional Semiconductors // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. V. 20. № 6. Р. 3–31. https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/29/293202
  2. Guseinov S.G., Guseinov G.D., Gasanov N.Z., Kyazimov S.B. Special Features of Exciton Absorption Spectra of А3В3X62-Type Layer Semiconductor Crystals // Phys. Status Solidi B. 1986. V. 133. № 1. K25–K30.
  3. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов TlGa1–xErxS2 (х = 0, 0.001, 0.005 и 0.01) // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 12. С. 1271–1276. https://doi.org/10.7868/S0002337X13120129
  4. Горбань И.С., Охрименко О.Б. Параметры экситонного поглощения в кристалле TlGaS2 // ФТТ. 2001. T. 43. Вып. 11. C. 1963–1965.
  5. Qasrawi A.F., Gasanly N.M. Optoelectronic and Electrical Properties of TlGaS2 Single Crystal // Phys. Status Solidi A. 2005. V. 202. № 13. P. 2501–2507. https://doi.org/10.1002/pssa.200521190
  6. Panich A.M., Sardarly R.M. Physical Properties of the Low Dimensional A3B6 and A3B3C62 Compounds. N. Y.: Nova Science, 2010. 287 p.
  7. Isaacs T.J., Hopkins R.H. Crystal Growth, Symmetry and Physical Properties of Thallium Gallium Disulfide, TlGaS2 // J. Cryst. Growth. Lett. Ed. 1975. V. 29. P. 121–122.
  8. Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Кристаллофизика сложных полупроводников на основе соединений типа TlBIIIC2VI, включающих редкоземельные элементы и переходные металлы // Изв. НАН Азербайджана. Физика и астрономия. 2017. № 2. C. 12–26.
  9. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Гусейнова С.С., Джабаров А.И., Лукичев В.Ф. Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS2: Nd3+ на постоянном и переменном токе // ФТТ. 2022. Т. 64. № 4. С. 428–436. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251
  10. Abdullaeva S.G., Belenkii G.L., Mamedov N.T. Near Band – Edge Optical Properties of TlGaS2xSe2(1–x) Mixed Crystals // Phys. Status Solidi B. 1980. V. 102. № 1. P. k19–k22.
  11. Керимова Э.М. Кристаллофизика низкоразмерных халькогенидов. Баку: Элм, 2012. 708 с.
  12. Абдуллаева С.Г., Абдуллаев Н.А., Беленький Г.Л., Мамедов Н.Т., Сулейманов Р.А. Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты в слоистых кристаллах TlGaS2 // ФТП. 1983. T. 17. Bып. 11. C. 2068–2070.
  13. Беленький Г.Л., Салаев Э.Ю., Сулейманов Р.А. Деформационные явления в слоистых кристаллах // УФН. 1988. Т. 155. № 1. С. 89–127.
  14. Allakhverdiyev K.R., Mammadov T.G., Suleymanov R.A., Gasanov N.Z. Deformation Effects in Electronic Spectra of the Layered Semiconductors TlGaS2, TlGaSe2 and TlInS2 // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 1291–1298. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/15/8/313
  15. Шелег А.У., Шевцова В.В., Гуртовой В.Г., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Низкотемпературные рентгенографические исследования монокристаллов TlInS2, TlGaS2 и TlGaSe2 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 11. C. 39–42.
  16. Kerimova E.M., Gasanov N.Z., Seidov F.M. Some Physical Properties of the TlGaSe2-TlTmSe2 System // Scientific Collections of National Academy of Aviation of Azerbaijan. 2018. V. 20. № 4. P. 51–53.
  17. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов TlGa1–xErxS2 (х = 0, 0.001, 0.005, 0.01) // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 12. С. 1271–1276. https://doi.org/10.7868/s0002337x13120129

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Diffractogram of TlGaS2<0.1% Pr> crystal.

Жүктеу (80KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Shape of the absorption edge of TlGaS2<0.1% Pr> single crystals at 100 (1), 140 (2), 200K (3).

Жүктеу (127KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Temperature dependences of the exciton peak position at the absorption edge of compounds TlGaS2 (1), TlGaS2<0.1% Pr> (2), TlGaS2<0.5% Pr> (3), TlGaS2<2% Pr> (4).

Жүктеу (95KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Concentration dependence of the exciton peak position at the absorption edge of TlGaS2 solid solutions at T = 100 K.

Жүктеу (55KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2024