Phase Equilibria in the Al–Ga–As–Bi System at 900°C

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Solidus and liquidus isotherms in the Al–Ga–As–Bi system have been modeled for an initial epitaxy temperature of 900°C, which is needed for growing relatively thick (50–100 μm) compositionally graded AlxGa1–xAs layers. The theoretical isotherms have been confirmed by experimental data. It has been shown that, to grow relatively thick (>50 μm) AlGaAs layers, it is reasonable to use Ga–Bi mixed melts containing no more than 20 at % bismuth.

作者简介

V. Khvostikov

Ioffe Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

O. Khvostikova

Ioffe Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

N. Potapovich

Ioffe Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

A. Vlasov

Ioffe Institute

编辑信件的主要联系方式.
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

参考

  1. Хвостиков В.П., Покровский П.В., Хвостикова О.А., Паньчак А.Н., Андреев В.М. Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения // ПЖТФ. 2018. Т. 44. № 17. С. 42–48. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.17.46569.17400
  2. Panchak A., Khvostikov V., Pokrovskiy P. AlGaAs Gradient Waveguides for Vertical p/n Junction GaAs Laser Power Converters // Opt. Laser Technol. 2021. V. 136. P. 106735. https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2020.106735
  3. Khvostikov V.P., Vlasov A.S., Pokrovskiy P.V., Khvostikova O.A., Panchak A.N., Marukhina E.P., Kalyuzhnyy N.A., Andreev V.M. Characterization of Ultra High Power Laser Beam PV Converters // AIP Conf. Proc. Morocco. 2019. V. 2149. P. 080003. https://doi.org/10.1063/1.5124213
  4. Khvostikov V.P., Panchak A.N., Khvostikova O.A., Pokrovskiy P.V. Side-Input GaAs Laser Power Converters with Gradient AlGaAs Waveguide // IEEE Electron Device Lett. 2022. V. 43. P. 1717–1719. https://doi.org/10.1109/LED.2022.3202987
  5. Zinovchuk V., Malyutenko O., Malyutenko V., Podoltsev A., Vilisov A. The Effect of Current Crowding on the Heat and Light Pattern in High-Power AlGaAs Light Emitting Diodes // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 033115. https://doi.org/10.1063/1.2968220
  6. Kitabayashi H., Ishihara K., Kawabata Y., Matsubara H., Miyahara K., Morishita T., Tanaka S. Development of Super High Brightness Infrared LEDs // SEI Tech. Rev. 2011. V. 72. P. 86–89.
  7. Zhao X., Montgomery K., Woodall J. Hall Effect Studies of AlGaAs Grown by Liquid-Phase Epitaxy for Tandem Solar Cell Applications // J. Electron. Mater. 2014. V. 43. № 11. P. 3999–4002. https://doi.org/10.1007/s11664-014-3340-x
  8. Якушева Н.А., Журавлев К.С., Шегай О.А. Об “очистке” арсенида галлия висмутом // ФТП. 1988. Т. 22. № 11. С. 2083–2086.
  9. Yakusheva N.A., Zhuravlev K.S., Chikichev S.I., Shegay O.A. Liquid Phase Epitaxial Growth of Undoped Gallium Arsenide from Bismuth and Gallium Melts // Cryst. Res. Technol. 1989. V. 24. № 2. P. 235–246. https://doi.org/10.1002/crat.2170240221.
  10. Бирюлин Ю.Ф., Воробьева В.В., Голубев В.Г. и др. Механизм “очистки” арсенида галлия висмутом // ФТП. 1987. Т. 21. № 12. С. 2201–2208.
  11. Saravanan S., Jeganathan K., Baskar K. et al. High Quality GaAs Epitaxial Layers Grown from Ga–As–Bi Solutions by Liquid Phase Epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. № 6A. P. 3385–3388. https://doi.org/10.1143/JJAP.36.3385
  12. Антощенко В.С., Лаврищев Ю.В., Францев Ю.В., Антощенко Е.В. Расчет фазовой диаграммы системы Bi–Ga–Al–As // Вестн. КазНУ. Сер. физ. 2012. Т. 41. № 2. С. 8–13.
  13. Антощенко В.С., Францев Ю.В., Лаврищев Ю.В., Антощенко Е.В. Изучение фазового равновесия в пятикомпонентной системе Sn–Bi–Al–Ga–As // Вестник КазНУ. Сер. физ. 2013. Т. 44. № 1. С. 11–17.
  14. Panish M.B. Phase Equilibria in the System Al–Ga–As–Sn and Electrical Properties of Sn-Doped Liquid Phase Epitaxial AlxGa1–xAs // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 2667–2675. https://doi.org/10.1063/1.1662631
  15. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. Т. 2. Глава 6. М.: Мир, 1981. С. 88–108.
  16. Jourdan A.S. Calculation of Phase Equilibria in the Ga-Bi and Ga-P-Bi Systems Based on a Theory of Regular Associated Solutions // Metall. Trans. B. 1976. V. 7. P. 191–201. https://doi.org/10.1007/BF02654917
  17. Hurle D.T.J. A Thermodynamic Analysis of Native Point Defect and Dopant Solubilities in Zinc-Blende III–V Semiconductors // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 121301. https://doi.org/10.1063/1.3386412
  18. Khvostikov V., Khvostikova O., Potapovich N., Vlasov A., Salii R. Estimation of Interaction Parameters in the Al–Ga–As–Sn–Bi System // Heliyon. 2023. V. 9. P. e18063. https://doi.org/10.1016/j.heliyon.2023.e18063
  19. Safarian J., Kolbeinsen L., Tangstad M. Liquidus of Silicon Binary Systems // Metall. Mater. Trans. B. 2011. V. 42. P. 852–874. https://doi.org/10.1007/s11663-011-9507-4
  20. Акчурин Р.Х., Ле Динь Као, Нишанов Д.Н., Фистуль В.И. Гетерогенные равновесия в квазибинарной системе Bi–GaAs // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1986. Т. 22. № 1. С. 9–12.
  21. Milanova M., Terziyska P. Low-Temperature Liquid-Phase Epitaxy Growth from Ga–As–Bi Solution // Thin Solid Films. 2006. V. 500. P. 15–18. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.10.049
  22. Panek M., Paszkiewicz R., Tlaczala M. et al. Liquid Phase Epitaxy (LPE) of GaAs from the Ga-Bi Solutions // Proc. SPIE. Optoelectron. Integrated Circuit Mater., Phys., Devices. 1995. V. 2397. P. 661–665. https://doi.org/10.1117/12.206913

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2.

下载 (136KB)
索引源数据
3.

下载 (194KB)
索引源数据
4.

下载 (116KB)
索引源数据
5.

下载 (31KB)
索引源数据

版权所有 © В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, Н.С. Потапович, А.С. Власов, 2023