Modification of the implanted silicon surface by a powerful light pulse
- 作者: Farrakhov B.F.1, Fattakhov Y.V.1, Stepanov A.L.1
-
隶属关系:
- Federal Research Center Kazan Scientific Center of Russian Academy of Sciences
- 期: 卷 88, 编号 7 (2024)
- 页面: 1099-1103
- 栏目: Spin physics, spin chemistry and spin technologies
- URL: https://kld-journal.fedlab.ru/0367-6765/article/view/676750
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524070158
- EDN: https://elibrary.ru/PATHEQ
- ID: 676750
如何引用文章
详细
We studied the possibility of modifying the near-surface silicon layer before and after ion implantation, followed by pulsed light annealing, in order to structure the surface of the substrates in order to increase the efficiency of their use in solar energy. The results were compared with the data obtained on monocrystalline and implanted germanium.
全文:

作者简介
B. Farrakhov
Federal Research Center Kazan Scientific Center of Russian Academy of Sciences
编辑信件的主要联系方式.
Email: bulat_f@mail.ru
Zavoisky Physical-Technical Institute
俄罗斯联邦, KazanYa. Fattakhov
Federal Research Center Kazan Scientific Center of Russian Academy of Sciences
Email: bulat_f@mail.ru
Zavoisky Physical-Technical Institute
俄罗斯联邦, KazanA. Stepanov
Federal Research Center Kazan Scientific Center of Russian Academy of Sciences
Email: bulat_f@mail.ru
Zavoisky Physical-Technical Institute
俄罗斯联邦, Kazan参考
- Королева Д.А., Целищев В.А., Шайдаков В.В. Солнечная энергетика. М.: Инфа-Инженирия, 2023. 140 с.
- Смердов Р.С. // Физ. образ. в вузах. 2019. Т. 25. № 2. С. 276.
- Codrin A., Elena L., Stephen C. // PLoS ONE. 2014. V. 9. No. 10. Art. No. e109836.
- Аржанов А.И., Савостьянов А.О., Магарян К.А. и др. // Фотоника. 2022. Т. 16. № 2. С. 96; Arzhanov A.I., Savostianov A.O., Magaryan K.A. et al. // Photonics Russ. 2022. V. 16. No. 2. P. 96.
- Lima Monteiro D., Honorato F., Oliveira Costa R., Salles L. // Int. J. Photoener. 2012. V. 2012. Art. No. ID743608.
- Macdonald D., Cuevas A., Kerr M. et al. // Proc. Solar World Congress (Adelaide, 2001). P. 1.
- Томаев В.В., Полищук В.А., Леонов Н.Б., Вартанян Т.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 10. С. 1446; Tomaev V.V., Polishchuk V.A., Leonov N.B., Vartanyan T.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 10. P. 1478.
- Lima Monteiro D.W., Akhzar-Mehr O., Sarro P.M., Vdovin G. // Opt. Express. 2003. V. 11. No. 18. P. 2244.
- Rebecca S. // Progr. Photovolt. Res. Appl. 2021. V. 29. P. 1125.
- Hyeon-Seung L., Jaekwon S., Hyeyeon K. et al. // Sci. Reports. 2018. V. 8. Art. No. 3504.
- Гончар К.А., Божьев И.В., Шалыгина О.А., Осминкина Л.А. // Письма в ЖЭТФ. 2023. Т. 117. № 2. С. 115; Gonchar K.A, Bozh’ev I.V., Shalygina O.A., Osminkina L.A. // JETP Lett. 2023. V. 117. No. 2. P. 111.
- Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.В., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. // Опт. и спектроск. 2000. Т. 89. № 1. С. 182; Galyautdinov M.F., Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V., Zakharov M.V. // Opt. Spectrosc. 2009. V. 107. No. 1. P. 640.
- Фаррахов Б.Ф., Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф. // ПТЭ. 2019. № 2. С. 93; Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V., Galyautdinov M.F. // Instrum. Exp. Tech. 2019. V. 62. P. 226.
- Stepanov A.L., Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V. et al. // Vacuum. 2021. V. 186. Art. No. 110060.
- Гаврилова Т.П., Фаррахов Б.Ф., Фаттахов Я.В. и др. // ЖТФ. 2022. Т. 96. № 12. С. 1827; Gavrilova T.P., Farrakhov B.F., Fattakhov Ya.V. et al. // Tech. Phys. 2022. V. 67. No. 12. P. 1586.
补充文件
