Email this article 
Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact
- Authors: Kerimov E.A.1
-
Affiliations:
- State Technical University
- Issue: Vol 52, No 1 (2023)
- Pages: 68-70
- Section: ПРИБОРЫ
- URL: https://kld-journal.fedlab.ru/0544-1269/article/view/655296
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126922030048
- EDN: https://elibrary.ru/CXXNWH
- ID: 655296
Cite item
Open Access
Access granted
Subscription Access
Abstract
A significant increase in the fill factor of Schottky matrices is achieved by reading the charge accu-mulated in the Schottky diode not by using charge-coupled device (CCD) registers but by injecting it into the signal bus, similarly to charge-injected device (CID) structures on narrow-gap semiconductors. In this case, the multielement matrix contains horizontal buses to poll the elements of the selected row, vertical signal lines, and a metal–oxide–semiconductor (MOS) switch for connecting the polled column and the matrix of photosensitive elements, each consisting of a photosensitive Schottky diode and a MOS switch.
About the authors
E. A. Kerimov
State Technical University
Author for correspondence.
Email: E_Kerimov.fizik@mail.ru
Baku, AZ 1073 Azerbaijan
References
- Курбатов J.H. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра // М.: изд. МФТИ, 1999. 320 с.
- Справочник по инфракрасной технике (ред. Волф У., Цисис Г., перевод с англ. под ред. Мирошникова М.М., Васильченко H.B.). М.: “Мир”, 1999. 472 с.
- Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А. Многоэлементные ИК-приемники на основе барьеров Шоттки, чувствительные к излучению с энергией квантов меньше высоты потенциального барьера // Оптический журн. 2008. № 8. С. 53–59.
- Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А. Способ увеличения граничной длины волны ИК-детектора с барьером Шоттки, ИК-детектор и фотоприемная матрица, чувствительная к ИК-излучению: Пат. 2335823 Российской Федерации от 23.10.2006.
Supplementary files
