Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Жазылу
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 53, № 6 (2024)
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 53, № 6 (2024)
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Рыжук, Р. В.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 53, № 3 (2024)
ПРИБОРЫ
Carrier Scattering Analysis in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier
Том 52, № 3 (2023)
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor
Том 53, № 6 (2024)
ПРИБОРЫ
III
-nitride HEMT Heterostructures with an Ultrathin
AlN
Barrier: Fabrication and Experimental Application
TOP