Формирование нанокластеров в кристаллическом кварце, имплантированном цинком
- Авторы: Привезенцев В.В.1, Фирсов А.А.1, Куликаускас В.С.2, Затекин В.В.2, Терещенко А.Н.3
- 
							Учреждения: 
							- Научно-исследовательский институт системного анализа Российской академии наук
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, НИИЯФ им. Д.В. Скобельцына
- Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН
 
- Выпуск: № 3 (2023)
- Страницы: 53-58
- Раздел: Статьи
- URL: https://kld-journal.fedlab.ru/1028-0960/article/view/664594
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023030147
- EDN: https://elibrary.ru/LFUSDC
- ID: 664594
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Представлены результаты синтеза нанокластеров металлического цинка и его оксида в кристаллическом кварце, имплантированном дозой ионов 64Zn+ 5 × 1016 cм–2 с энергией 40 кэВ и отожженном в атмосфере кислорода в диапазоне температур 400–900°С. Для исследования использованы методы растровой электронной микроскопии в сочетании с энергодисперсионной спектроскопией, а также электронная оже-спектроскопия и фотолюминесценция. После имплантации на поверхности и в приповерхностном слое кварца зафиксированы отдельные нанокластеры металлического цинка размером менее 1 мкм. Установлено, что в процессе отжигов в образце реализуется переход из фазы металлического Zn в фазы его оксида ZnO и силиката Zn2SiO4. После отжига при 700°С, наиболее оптимального для получения фазы ZnO, в приповерхностном слое кварца образуются нанокластеры оксида цинка размером менее 500 нм. В спектре фотолюминесценции наблюдается пик в форме дублета на длине волны 370 нм, обусловленный экситонной люминесценцией в оксиде цинка. После отжига при 800°С происходит деградация фазы ZnO и образование фазы силиката цинка Zn2SiO4.
Ключевые слова
Об авторах
В. В. Привезенцев
Научно-исследовательский институт системного анализа Российской академии наук
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: v.privezentsev@mail.ru
				                					                																			                												                								Россия, 117218, Moсква						
А. А. Фирсов
Научно-исследовательский институт системного анализа Российской академии наук
														Email: v.privezentsev@mail.ru
				                					                																			                												                								Россия, 117218, Moсква						
В. С. Куликаускас
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,НИИЯФ им. Д.В. Скобельцына
														Email: v.privezentsev@mail.ru
				                					                																			                												                								Россия, 119991, Moсква						
В. В. Затекин
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,НИИЯФ им. Д.В. Скобельцына
														Email: v.privezentsev@mail.ru
				                					                																			                												                								Россия, 119991, Moсква						
А. Н. Терещенко
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН
														Email: v.privezentsev@mail.ru
				                					                																			                												                								Россия, 142432, Московская область, Черноголовка						
Список литературы
- Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Оксид цинка. Получение и свойства. M.: Нaукa, 1984. 166 с.
- Özgür Ü., Alivov Ya. I., Liu C. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 041301.
- Litton C.W, Collins T.C., Reynolds D.S, Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Application. Chichester: Wiley, 2011.
- Amekura H., Kishimoto N. Toward Functional Nanomaterials // Lecture Notes in Nanoscale Science and Technology / Ed. Wang Zh.M. 2009. V. 5.
- Liu Y.X., Liu Y.C., Shen D. et al. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 240. P. 152.
- Zatsepin D., Zatsepin A., Boukhvalov D.W. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2016. V. 432. P. 183.
- Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G. et al. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 205206.
- Smestad G.P., Gratzel M. // J. Chem. Educ. 1998. V. 75. P. 752.
- Urfa Y., Çorumlu V., Altındal A. // Mater. Chem. Phys. 2021. V. 264. P. 124473.
- Sirelkhatim S., Mahmud A., Seeni N.H.M., Kaus L.C., Ann S.K., ohd Bakhori, Hasan H., Mohamad D. // Nano-Micro Lett. 2015. V. 7. P. 219.
- Inbasekaran S., Senthil R., Ramamurthy G., Sastry T.P. // Intern. J. Innov. Res. Sci. Engin. Technol. 2014. V. 3. P. 8601.
- Jiang C.Y., Sun X.W., Lo G.Q. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 263501.
- Li C., Yang Y., Sun X.W. et al. // Nanotechnology. 2007. V. 18. P. 135604.
- Chu S., Olmedo M., Yang Zh. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 181106.
- Amekura H., Ohnuma M., Kishimoto N. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 114309.
- Privezentsev V.V., Makunin A.V., Batrakov A.A. et al. // Semiconds. 2018. V. 52. P. 645.
- Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985. 496 с.
- Ziegler J.F., Biersack J.P. SRIM 2008 (http:// www.srim.org).
- Chen Y., Bagnall D.M., Koh H.J. et al. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. P. 3912.
- Amekura H., Umeda N., Sakuma Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 013109.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 










