Processes in the electronic system of solid solutions of bismuth and antimony telluride in the range of observation of the anomalous temperature dependence of the Hall coefficient
- Authors: Stepanov N.P.1,2, Ivanov M.S.3
-
Affiliations:
- Transbaikal State University
- Baikal State University
- Irkutsk State Transport University
- Issue: Vol 88, No 9 (2024)
- Pages: 1386–1391
- Section: Condensed Matter Physics
- URL: https://kld-journal.fedlab.ru/0367-6765/article/view/681823
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524090086
- EDN: https://elibrary.ru/OEAREX
- ID: 681823
Cite item
Abstract
The temperature dependences of electrical conductivity and Hall coefficient in single crystals of bismuth and antimony telluride have been studied. In samples with a high content of antimony telluride, a decrease in Hall mobility in the region of nitrogen temperatures was found, which indicates the presence of an additional mechanism for charge carrier scattering.
Full Text

About the authors
N. P. Stepanov
Transbaikal State University; Baikal State University
Author for correspondence.
Email: np-stepanov@mail.ru
Russian Federation, Chita; Irkutsk
M. S. Ivanov
Irkutsk State Transport University
Email: np-stepanov@mail.ru
Transbaikal Institute of Railway Transport
Russian Federation, ChitaReferences
- Meroz O., Elkabets N., Gelbstein Y. // ACS Appl. Energy Mater. 2020. V. 3. P. 2090.
- Zheng Y., Xie H., Zhang Q. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2020. V. 12. P. 36186.
- Zhang J., Feng X., Xu Y. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. Art. No. 075431.
- Лукьянова Л.Н., Бойков Ю.А., Усов О.А. и др. // ФТП. 2017.Т.51. № 7. С. 880; Lukyanova L.N., Boikov Y.A., Usov O.A. et al. // Semiconductors. 2017. V. 51. No. 7. Р. 843.
- Tang X., Li Z., Liu W. et al. // Interdisc. Mater. 2022. V. 1. No. 1. P. 88.
- Павлов Д.П., Чибирев А.О., Салихов Т.М., Мамин Р.Ф. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 9. С. 1296; Pavlov D.P., Chibirev A.O., Salikhov T.M., Mamin R.F. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 9. P. 1332.
- Bulat L.P., Drabkin I.A., Osvenskii V.B. et al. // J. Electron. Mater. 2015. V. 44. P. 1846.
- Жежу М., Васильев А.Е., Иванов О.Н. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 786; Zhezhu M., Vasil’ev A.E., Ivanov O.N. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 6. P. 692.
- Xu Y., Gan Z., Zhang S.C. // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 112. No. 22. P. 226801.
- Чистяков В.В., Доможирова А.Н., Хуанг Дж.Ч.Э. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 7. С. 921; Chistyakov V.V., Domozhirova A.N., Huang J.C. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 7. P. 838.
- Степанов Н.П., Иванов М.С. // ФТП. 2022. Т. 56. № 12. С. 1103; Stepanov N.P., Ivanov M.S. // Semiconductors. 2022. V. 56. No. 12. Р. 879.
- Yates B. // J. Electr. Control. 1959. V.6. P. 26.
- Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е. // ФТТ. 1998. Т. 40. № 8. С. 1428; Zhitinskaya M.K., Nemov S.A., Svechnikova T.E. // Phys. Solid State. 1998. V. 40. No. 8. P. 1297.
- Mase S. // J. Phys. Soc. 1957. V. 13. P. 434.
- Степанов Н.П., Гильфанов А.К., Трубицына Е.Н. // ФТП. 2019. Т. 53. № 6. С. 774; Stepanov N.P., Gilfanov A.K., Trubitsyna E.N. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 6. Р. 765.
- Сологуб В.В., Голецкая А.Д., Парфеньев Р.В. // ФТТ. 1972. Т. 14. № 3. С. 915.
- Степанов Н.П. // Опт. и спектроск. 2023. Т. 131. № 9. С. 1219.
- Vedernikov M.V., Konstantinov P.P., Burkov A.T. // Proc. 8th Int. Conf. Thermoelectric energy conversion (Nancy, 1989). Р. 45.
- Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Вi2Te3. М.: Наука, 1972. 320 с.
- Testardi L.R., Bierly J.N., Danahoe F.J. // J. Phys. Chem. Sol. 1962. V. 23. P. 1209.
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. СПб.: Лань, 2008. 618 с.
- Tussing P., Rosental W., Hang A. // Phys. Stat. Sol. B. 1972. V. 52. No. 2. Р. 451.
Supplementary files
