Процессы в электронной системе твердых растворов теллурида висмута и сурьмы в диапазоне наблюдения аномальной температурной зависимости коэффициента Холла

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследованы температурные зависимости удельной электропроводности и коэффициента Холла в монокристаллах теллурида висмута и сурьмы. В образцах с высоким содержанием теллурида сурьмы обнаружено уменьшение холловской подвижности в области азотных температур, что указывает на наличие дополнительного механизма рассеяния носителей заряда.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Н. П. Степанов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Забайкальский государственный университет»; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Байкальский государственный университет»

Автор, ответственный за переписку.
Email: np-stepanov@mail.ru
Россия, Чита; Иркутск

М. С. Иванов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Иркутский государственный университет путей сообщения»

Email: np-stepanov@mail.ru

Забайкальский институт железнодорожного транспорта

Россия, Чита

Список литературы

  1. Meroz O., Elkabets N., Gelbstein Y. // ACS Appl. Energy Mater. 2020. V. 3. P. 2090.
  2. Zheng Y., Xie H., Zhang Q. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2020. V. 12. P. 36186.
  3. Zhang J., Feng X., Xu Y. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. Art. No. 075431.
  4. Лукьянова Л.Н., Бойков Ю.А., Усов О.А. и др. // ФТП. 2017.Т.51. № 7. С. 880; Lukyanova L.N., Boikov Y.A., Usov O.A. et al. // Semiconductors. 2017. V. 51. No. 7. Р. 843.
  5. Tang X., Li Z., Liu W. et al. // Interdisc. Mater. 2022. V. 1. No. 1. P. 88.
  6. Павлов Д.П., Чибирев А.О., Салихов Т.М., Мамин Р.Ф. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 9. С. 1296; Pavlov D.P., Chibirev A.O., Salikhov T.M., Mamin R.F. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 9. P. 1332.
  7. Bulat L.P., Drabkin I.A., Osvenskii V.B. et al. // J. Electron. Mater. 2015. V. 44. P. 1846.
  8. Жежу М., Васильев А.Е., Иванов О.Н. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 786; Zhezhu M., Vasil’ev A.E., Ivanov O.N. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 6. P. 692.
  9. Xu Y., Gan Z., Zhang S.C. // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 112. No. 22. P. 226801.
  10. Чистяков В.В., Доможирова А.Н., Хуанг Дж.Ч.Э. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 7. С. 921; Chistyakov V.V., Domozhirova A.N., Huang J.C. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 7. P. 838.
  11. Степанов Н.П., Иванов М.С. // ФТП. 2022. Т. 56. № 12. С. 1103; Stepanov N.P., Ivanov M.S. // Semiconductors. 2022. V. 56. No. 12. Р. 879.
  12. Yates B. // J. Electr. Control. 1959. V.6. P. 26.
  13. Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е. // ФТТ. 1998. Т. 40. № 8. С. 1428; Zhitinskaya M.K., Nemov S.A., Svechnikova T.E. // Phys. Solid State. 1998. V. 40. No. 8. P. 1297.
  14. Mase S. // J. Phys. Soc. 1957. V. 13. P. 434.
  15. Степанов Н.П., Гильфанов А.К., Трубицына Е.Н. // ФТП. 2019. Т. 53. № 6. С. 774; Stepanov N.P., Gilfanov A.K., Trubitsyna E.N. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 6. Р. 765.
  16. Сологуб В.В., Голецкая А.Д., Парфеньев Р.В. // ФТТ. 1972. Т. 14. № 3. С. 915.
  17. Степанов Н.П. // Опт. и спектроск. 2023. Т. 131. № 9. С. 1219.
  18. Vedernikov M.V., Konstantinov P.P., Burkov A.T. // Proc. 8th Int. Conf. Thermoelectric energy conversion (Nancy, 1989). Р. 45.
  19. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Вi2Te3. М.: Наука, 1972. 320 с.
  20. Testardi L.R., Bierly J.N., Danahoe F.J. // J. Phys. Chem. Sol. 1962. V. 23. P. 1209.
  21. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. СПб.: Лань, 2008. 618 с.
  22. Tussing P., Rosental W., Hang A. // Phys. Stat. Sol. B. 1972. V. 52. No. 2. Р. 451.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Температурные зависимости удельной электропроводности кристаллов: 1 – Bi2Te3; 2 – Bi1.5Sb0.5Te3; 3 – Bi1.2Sb0.8Te3; 4 – Bi0.8Sb1.2Te3; 5 – Bi0.4Sb1.6Te3; 6 – Bi0.01Sb1.99Te3.

Скачать (12KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Температурные зависимости коэффициента Холла кристаллов: 1 – Bi2Te3; 2 – Bi1.5Sb0.5Te3; 3 – Bi1.2Sb0.8Te3; 4 – Bi0.8Sb1.2Te3; 5 – Bi0.4Sb1.6Te3; 6 – Bi0.01Sb1.99Te3; 7 – Bi1.8Sb0.2Te3.

Скачать (12KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Температурные зависимости холловской подвижности кристаллов: 1 – Bi2Te3; 2 – Bi1.5Sb0.5Te3; 3 – Bi1.2Sb0.8Te3; 4 – Bi0.8Sb1.2Te3; 5 – Bi0.4Sb1.6Te3; 6 – Bi0.01Sb1.99Te3.

Скачать (12KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Температурная зависимость холловской подвижности с учетом рассеяния на акустических фононах для кристалла Bi2Te3 (а) и кристалла Bi0.6Sb1.4Te3 (б): кривая 1 – теоретический расчет τ ~ T–1; кривая 2 – экспериментальная зависимость.

Скачать (16KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024